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一文解讀!搶占寬禁帶半導體材料及應用的戰略制高點!

放大字體  縮小字體 發布日期:2022-03-04  來源:中國工控網  瀏覽次數:19
     2021年9月5日,由保定市人民政府和第三代半導體產業技術創新戰略聯盟共同主辦的“2021白石山第三代半導體峰會”在保定市淶源成功召開。中國工程院院士、北京有色金屬研究總院名譽院長、中國有色金屬工業協會特邀副會長屠海令線上參加并致辭,指出發展第三代半導體要做好頂層設計,研發和生產并重。本文長聯半導體為您介紹如何搶占寬禁帶半導體材料及應用的戰略制高點。
    他指出,半導體材料的研發與應用方興未艾,正在掀起新一輪的熱潮。近年來,SiC電力電子器件和GaN射頻器件顯現出了良好的市場前景,發達國家紛紛將其列入國家戰略,投入巨資支持。當前,中國發展寬禁帶半導體具有良好的機遇和合適的環境。從消費類電子設備、新型半導體照明、新能源汽車、風力發電、航空發動機、新一代移動通信、智能電網、高速軌道交通、大數據中心,均對高性能SiC和GaN器件有著極大的期待和需求。因此寬禁帶半導體材料的發展空間都很大,市場前景也很好。但發展寬禁帶半導體材料需要關注以下幾點。
    第一,寬禁帶半導體材料及應用具有學科交叉性強、應用領域廣、產業關聯性大等特點,需要設計、工藝、材料、可靠性、成品率、性價比全面滿足各類應用系統的要求。同時要注重設備儀器、檢驗標準、稅收政策、金融環境等全產業鏈和產業環境的建設,強化多方配合與協同發展。因此做好頂層設計,進行統籌安排非常重要。
    第二,寬禁帶半導體材料是機遇與挑戰并存的領域。當前,國內SiC和GaN的研究與應用仍存在諸多問題,其產業化的難度比外界想象的還要大。從國際專利構架布局上看,寬禁帶半導體已經進入市場競爭階段,我們不能過多時間只停留在研發階段,要研發和生產并重,加速第三代半導體進入市場的步伐。因此,在重視研發的基礎上,也需要將市場化作為關注重點。
    第三,SiC、GaN材料適合制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件,能有效提高系統的效率,對發展“大智物移云”具有重要作用。SiC和GaN器件不會取代硅集成電路,但它能做硅半導體做不到的事情。未來,SiC、GaN和硅將在不同的應用領域發揮各自的作用、占據各自的市場份額。即便是電力電子器件,寬禁帶半導體材料也不可能完全替代硅,緣于應用和市場還會細分,同時也要權衡材料與器件的成本和性價比。
    第四,當前第三代半導體全國布局眾多,參與的機構也很多,如果集中力量協同創新,有可能在相關領域獲得比較優勢進而占據領先地位。因此,要應避免熱炒概念、盲目投資、低水平重復建設。在這一點上,希望聯盟能發揮好作用與優勢,做好協調與指導。
    展望未來,進一步加強寬禁帶半導體研發與產業化,戰略新興產業發展將具有舉足輕重的作用。相信中國有能力搶占寬禁帶半導體材料及應用的戰略制高點,為實現世界科技強國的宏偉目標奠定堅實的基礎。
 
關鍵詞: 半導體
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