磁敏式傳感器
磁敏式傳感器按其結構可分為體型和結型兩大類，前者有霍爾傳感器和磁敏電阻；后者有磁敏二極管、磁敏晶體管。磁敏傳感器的應用范圍可分為模擬用途和數字用途兩種。例如利用霍爾傳感器測量磁場強度，用磁敏電阻、磁敏二極管作無接觸式開關等。
1 霍爾傳感器
霍爾傳感器是利用霍爾效應實現磁電轉換的一種傳感器，有普通型、高靈敏度型、低溫度系數型、測溫測磁型和開關式的霍爾元件。
a、霍爾效應 ——霍爾效應是導體中自由電荷受洛侖茲力作用而產生的。
霍爾元件的靈敏度不僅與元件材料的霍爾系數有關，還與霍爾元件的幾何尺寸有關?；魻栐`敏度KH與霍爾元件的厚度 d 成反比。
b、霍爾元件的主要技術參數
1．額定功耗P0
霍爾元件在環境溫度T＝25℃時，允許通過霍爾元件的控制電流I和工作電壓V的乘積即為額定功耗。一般可分為最小、典型、最大三檔，單位為mw。當供給霍爾元件的電壓確定后，根據額定功耗可以知道額定控制電流I。有些產品提供額定控制電流和電壓，不給出額定功耗。
2．輸入電阻Ri和輸出電阻R0
Ri是指流過控制電流的電極（簡稱控制電極）間的電阻值，R0是指霍爾元件的霍爾電勢輸出電極（簡稱霍爾電極）間的電阻，單位為Ω?？梢栽跓o磁場即B＝0時，用歐姆表等測量。
3．不平衡電勢U0
在額定控制電流I之下，不加磁場時，霍爾電極間的空載霍爾電勢稱為不平衡(不等)電勢，單位為mV。不平衡電勢和額定控制電流I之比為不平衡電阻r0。
4．霍爾電勢溫度系數α
在一定的磁感應強度和控制電流下，溫度變化1℃時，霍爾電勢變化的百分率稱為霍爾電勢溫度系數α，單位為1／℃。
c、霍爾元件的測量誤差和補償方法
1．零位誤差及補償方法
零位誤差是霍爾元件在加控制電流或不加外磁場時，而出現的霍爾電勢稱為零位誤差。不平衡電勢U0是主要的零位誤差。因為在工藝上難以保證霍爾元件兩側的電極焊接在同一等電位面上。
2．溫度誤差及其補償
(1)利用輸出回路并聯電阻進行補償
(2)利用輸入回路的串聯電阻進行補償
2 磁敏電阻器
一、磁阻效應
當一載流導體置于磁場中，其電阻會隨磁場而變化，這種現象被稱為磁阻效應。當溫度恒定時，在磁場內，磁阻與磁感應強度B的平方成正比。半導體材料的磁阻效應較為明顯。
二、磁敏電阻
磁敏電阻大多制成圓盤結構。這是因為磁阻效應除了與材料有關外，還與磁敏電阻的形狀有關。磁敏電阻的靈敏度一般是非線性的，且受溫度影響較大，在使用磁敏電阻時需要考慮溫度補償。
3 磁敏二極管和磁敏三極管
一、磁敏二根管的結構和工作原理
磁敏二極管是一個在P、N之間有一個較長的本征區I的PIN結型的的器件。并且本征區I的一面光滑，另一面打毛以利于電子 — 空穴的復合。
氣敏傳感器
2.1 (半導體)電阻型氣敏傳感器
從制造工藝上可把電阻型半導體氣敏器件分為燒結型、薄膜型和厚膜型三類。
燒結型 —— 半導體陶瓷
薄膜型 —— 氧化物半導體薄膜
厚膜型 —— 絲網印刷厚膜膠
磁敏式傳感器按其結構可分為體型和結型兩大類，前者有霍爾傳感器和磁敏電阻；后者有磁敏二極管、磁敏晶體管。磁敏傳感器的應用范圍可分為模擬用途和數字用途兩種。例如利用霍爾傳感器測量磁場強度，用磁敏電阻、磁敏二極管作無接觸式開關等。
1 霍爾傳感器
霍爾傳感器是利用霍爾效應實現磁電轉換的一種傳感器，有普通型、高靈敏度型、低溫度系數型、測溫測磁型和開關式的霍爾元件。
a、霍爾效應 ——霍爾效應是導體中自由電荷受洛侖茲力作用而產生的。
霍爾元件的靈敏度不僅與元件材料的霍爾系數有關，還與霍爾元件的幾何尺寸有關?；魻栐`敏度KH與霍爾元件的厚度 d 成反比。
b、霍爾元件的主要技術參數
1．額定功耗P0
霍爾元件在環境溫度T＝25℃時，允許通過霍爾元件的控制電流I和工作電壓V的乘積即為額定功耗。一般可分為最小、典型、最大三檔，單位為mw。當供給霍爾元件的電壓確定后，根據額定功耗可以知道額定控制電流I。有些產品提供額定控制電流和電壓，不給出額定功耗。
2．輸入電阻Ri和輸出電阻R0
Ri是指流過控制電流的電極（簡稱控制電極）間的電阻值，R0是指霍爾元件的霍爾電勢輸出電極（簡稱霍爾電極）間的電阻，單位為Ω?？梢栽跓o磁場即B＝0時，用歐姆表等測量。
3．不平衡電勢U0
在額定控制電流I之下，不加磁場時，霍爾電極間的空載霍爾電勢稱為不平衡(不等)電勢，單位為mV。不平衡電勢和額定控制電流I之比為不平衡電阻r0。
4．霍爾電勢溫度系數α
在一定的磁感應強度和控制電流下，溫度變化1℃時，霍爾電勢變化的百分率稱為霍爾電勢溫度系數α，單位為1／℃。
c、霍爾元件的測量誤差和補償方法
1．零位誤差及補償方法
零位誤差是霍爾元件在加控制電流或不加外磁場時，而出現的霍爾電勢稱為零位誤差。不平衡電勢U0是主要的零位誤差。因為在工藝上難以保證霍爾元件兩側的電極焊接在同一等電位面上。
2．溫度誤差及其補償
(1)利用輸出回路并聯電阻進行補償
(2)利用輸入回路的串聯電阻進行補償
2 磁敏電阻器
一、磁阻效應
當一載流導體置于磁場中，其電阻會隨磁場而變化，這種現象被稱為磁阻效應。當溫度恒定時，在磁場內，磁阻與磁感應強度B的平方成正比。半導體材料的磁阻效應較為明顯。
二、磁敏電阻
磁敏電阻大多制成圓盤結構。這是因為磁阻效應除了與材料有關外，還與磁敏電阻的形狀有關。磁敏電阻的靈敏度一般是非線性的，且受溫度影響較大，在使用磁敏電阻時需要考慮溫度補償。
3 磁敏二極管和磁敏三極管
一、磁敏二根管的結構和工作原理
磁敏二極管是一個在P、N之間有一個較長的本征區I的PIN結型的的器件。并且本征區I的一面光滑，另一面打毛以利于電子 — 空穴的復合。
氣敏傳感器
2.1 (半導體)電阻型氣敏傳感器
從制造工藝上可把電阻型半導體氣敏器件分為燒結型、薄膜型和厚膜型三類。
燒結型 —— 半導體陶瓷
薄膜型 —— 氧化物半導體薄膜
厚膜型 —— 絲網印刷厚膜膠
2.2 非電阻型(電壓控制型)氣敏器件
非電阻型氣敏器件是利用MOS二極管的電容 — 電壓特性的變化以及MOS場效應晶體管(MOSFET)的閾值電壓的變化等物性而制成的氣敏元件。
1. MOS二極管氣敏元件
2．鈀 - MOS場效應晶體管氣敏器件
濕敏傳感器
濕度是指大氣中的水蒸氣的含量。通常采用絕對濕度和相對濕度兩種方法表示。
一、絕對濕度與相對濕度
1．絕對濕度
絕對濕度是單位空間中所含水蒸氣的絕對含量（質量）。若被測空氣的體積為V，被測空氣中水蒸氣的含量為mV，絕對濕度=mV ／V 。
2．相對濕度
相對濕度是指被測氣體中的水蒸氣壓和該氣體在相同溫度下飽和水蒸氣壓的百分比，—般用符號%RH表示。相對濕度給出大氣的潮濕程度，因此，它是一個無量綱的值。
二、濕敏元件的特性參數
1．濕度量程
2．相對濕度特性曲線
3．靈敏度及其溫度系數
4．響應時間
5．濕滯回線和濕滯回差
吸濕和脫濕特征曲線的重合程度。
?非電阻型氣敏器件是利用MOS二極管的電容 — 電壓特性的變化以及MOS場效應晶體管(MOSFET)的閾值電壓的變化等物性而制成的氣敏元件。
1. MOS二極管氣敏元件
2．鈀 - MOS場效應晶體管氣敏器件
濕敏傳感器
濕度是指大氣中的水蒸氣的含量。通常采用絕對濕度和相對濕度兩種方法表示。
一、絕對濕度與相對濕度
1．絕對濕度
絕對濕度是單位空間中所含水蒸氣的絕對含量（質量）。若被測空氣的體積為V，被測空氣中水蒸氣的含量為mV，絕對濕度=mV ／V 。
2．相對濕度
相對濕度是指被測氣體中的水蒸氣壓和該氣體在相同溫度下飽和水蒸氣壓的百分比，—般用符號%RH表示。相對濕度給出大氣的潮濕程度，因此，它是一個無量綱的值。
二、濕敏元件的特性參數
1．濕度量程
2．相對濕度特性曲線
3．靈敏度及其溫度系數
4．響應時間
5．濕滯回線和濕滯回差
吸濕和脫濕特征曲線的重合程度。
